-
1 junction
['dʒʌŋkʃ(ə)n]1) Общая лексика: (дорожная) развязка, \junction with (AD), железнодорожный узел, коалиция, место слияния (рек), место соединения, перекрёсток, пересечения, развязка дорог, распутье, скрещение, скрещивание (дорог), скрещивания, слияние (рек), соединение, сочетание, станция, стык, стык шоссейных дорог, стык шоссейных или железных дорог, схождение в одной точке, точка пересечения, точка соединения или пересечения, узел, узловой пункт, союз, узловая станция, комплекс2) Геология: граница, контакт, сопряжение, устье (притока)3) Авиация: место примыкания4) Медицина: анатомическое соединение малых органов, синапс5) Военный термин: переход (в полупроводниках), попадание торпеды в цель, скрещивание путей, стыковка, узел( дорог), соединение (манёвр)6) Техника: p-n-переход, пересечение, плоскостной, подсоединение, разветвление (волноводов), разъезд, скрепление путей, сочленение, точка разветвления, транспортная развязка, шов, спай (в термопарах), скрещивание (напр. дорог)7) Сельское хозяйство: соединение (труб), слияние (водных источников)9) Строительство: дорожная развязка, примыкание дороги10) Анатомия: мионевральное соединение11) Математика: приобщение12) Железнодорожный термин: стык дорог13) Юридический термин: место, объединение, уния (государств)14) Лингвистика: юнкция16) Горное дело: примыкание дорог, скрещивание (выработок или путей)17) Металлургия: место перехода, переход (в полупроводнике), точка разветвления (в электрической цепи)18) Телекоммуникации: узлообразование20) Вычислительная техника: переход, пп переход, узел (цепи)21) Нефть: примыкание, примыкание автомобильной дороги, узел сопряжения22) Иммунология: область соединения, точка соединения, участок соединения23) Социология: пересечение дорог24) Картография: железнодорожная станция, сводка листов карты, стык железных дорог, узловая точка геодезической сети25) Метрология: переход (в полупроводниках)26) Экология: ответвление27) Деловая лексика: скрещивание дорог28) Бурение: место спая29) Нефтегазовая техника слияние пластов, соприкосновение горных пород30) Полимеры: переход (в полупроводниках)31) Автоматика: (электрический) место перехода, дырочно-дырочный переход, косынка, мостик сварки, р-р^ переход, соединительная планка, (электрический) переход (между разнородными материалами в полупроводнике), точка разветвления (напр. в электрической цепи), разветвление (напр. волноводов)32) Океанология: слияние (напр. рек)33) Кабельные производство: переход (переходная часть)34) Макаров: место соединения, пересечения, пересечение железнодорожных путей, переход в полупроводниковом приборе, соединяющий, точка соединения, пересечения, транспортное пересечение, устье притока, переход (в СВЧ), контакт (между разнородными материалами), электрический переход (между разнородными материалами в полупроводнике), слияние (напр. водных потоков), соприкосновение (напр. горных пород), скрещивание (напр. дорог, путей), узел (напр. электрической цепи), слияние (напр., водных потоков), место соединения (органов), узел (электрической цепи)35) Золотодобыча: спай (напр.: по каждой борозде отбиралась одна секция из наиболее представительного горизонта отложений-спай)36) Электрохимия: переход (в проводниках)37) Логистика: узловой38) Газовые турбины: спай (термопары) -
2 transistorize
переводить ( схему) на транзисторы, собирать схему на полупроводниках* * *Англо-русский словарь нефтегазовой промышленности > transistorize
-
3 donate
[də(ʊ)'neɪt]1) Общая лексика: давать в качестве донора, жертвовать, передать в дар, подарить, пожертвовать, преподнести в качестве дара, преподносить в качестве дара, дарить, передавать в дар, сдавать (кровь)2) Техника: отдавать4) Юридический термин: делать пожертвования5) Вычислительная техника: служить донором6) Иммунология: являться донором (крови, органа, ткани)7) Официальное выражение: безвозмездно передать, безвозмездно предоставить8) Макаров: дать кровь, отдавать в качестве донора, сообщать, служить донором (напр. в полупроводниках), передавать (напр. энергию), служить донором (напр., в полупроводниках) -
4 ovonic memory
-
5 semiconductor memory
1) Компьютерная техника: полупроводниковый запоминающее устройство2) Телекоммуникации: ИС памяти3) Вычислительная техника: память на полупроводниковых приборах, полупроводниковая память, полупроводниковое запоминающее устройство5) Автоматика: полупроводниковое ЗУ -
6 ширина запрещенной зоны
(Eg)Ширина запрещенной зоны (Eg)В полупроводниках и изоляторах – область энергий, лежащая между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости; в материалах с собственной проводимостью данный диапазон энергий является запрещенным для электронов. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1—4 эВ.Англо-русский словарь по нанотехнологиям > ширина запрещенной зоны
-
7 band gap energy
(Eg)Ширина запрещенной зоны (Eg)В полупроводниках и изоляторах – область энергий, лежащая между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости; в материалах с собственной проводимостью данный диапазон энергий является запрещенным для электронов. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1—4 эВ. -
8 reverse recovery time
- время переключения
- время обратного восстановления тиристора
- время обратного восстановления диода
- время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время обратного восстановления диода
Ндп. время восстановления обратного сопротивления
tвос, обр, trr
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока.
[ ГОСТ 25529-82]Недопустимые, нерекомендуемые
Тематики
EN
DE
FR
время обратного восстановления тиристора
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Обозначение
tвос, обр
trr
Примечания
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время переключения
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в распределительной сети до момента подключения к резервному источнику питания системы безопасности.
[ ГОСТ Р 50571. 1-2009 ( МЭК 60364-1: 2005)]
время переключения
tco
Промежуток времени с момента возникновения аварийного режима в стационарной сети до момента подключения к аварийному источнику электроснабжения системы обеспечения безопасности.
[ ГОСТ Р ИСО 8528-12-2005]Тематики
EN
33. Время обратного восстановления диода
Ндп. Время восстановления обратного сопротивления
D. Sperrerholungszeit der Diode
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое, значение до момента, когда обратный ток, уменьшаясь от максимального импульсного значения, достигает заданного значения обратного тока
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
114. Время обратного восстановления тиристора
E. Reverse recovery time
F. Temps de recouvrement inverse
tвос,обр
Интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора проходит через нулевое значение, изменяя направление от прямого на обратное, и моментом, когда обратный ток тиристора уменьшается с его амплитудного значения до заданного значения, или когда экстраполированный обратный ток тиристора достигает нулевого значения.
Примечания:
1. Экстраполяция выполняется через заданные значения тока.
2. Время обратного восстановления равняется сумме времен запаздывания обратного напряжения и спада обратного тока
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse recovery time
-
9 Ovonics
электроника на аморфных полупроводниках -
10 blocking contact
Большой англо-русский и русско-английский словарь > blocking contact
-
11 blocking layer
Большой англо-русский и русско-английский словарь > blocking layer
-
12 burnout power
Большой англо-русский и русско-английский словарь > burnout power
-
13 charge center
Большой англо-русский и русско-английский словарь > charge center
-
14 crowding effect
1. эффект шнурования( тока)
2. эффект уплотнения( носителей в полупроводниках)
3. вчт набегание( битов или знаков)Большой англо-русский и русско-английский словарь > crowding effect
-
15 defect center
Большой англо-русский и русско-английский словарь > defect center
-
16 ovonic memory
ЗУ на аморфных полупроводниках, ЗУ на элементах ОвшинскогоБольшой англо-русский и русско-английский словарь > ovonic memory
-
17 transport coefficient
Большой англо-русский и русско-английский словарь > transport coefficient
-
18 ovonics
[əʋʹvɒnıks] n -
19 barrier layer
-
20 blocking contact
Англо-русский словарь технических терминов > blocking contact
См. также в других словарях:
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
время восстановления запорного слоя (в полупроводниках) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN reverse recovery time … Справочник технического переводчика
рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — [hole electron recombination in semiconductors] исчезновение пары электронной проводимости дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Различают излучательную рекомбинацию (избыток энергии выделяется в виде… … Энциклопедический словарь по металлургии
легирование (в полупроводниках) — легирование Введение легирующей добавки в полупроводник для изменения его электрических свойств путем создания концентрации носителей n типа или p типа. Легирование обычно выполняется с помощью процессов диффузии или ионной имплантации.… … Справочник технического переводчика
полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… … Энциклопедический словарь
АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ — (АЭВ), вз ствие УЗ волн (с частотой =107 1013 Гц) с эл нами проводимости в металлах и ПП; обусловлено изменением внутрикристаллического поля, при деформации решётки кристалла под действием распространяющейся УЗ волны. АЭВ явл. частным случаем… … Физическая энциклопедия
ЗОННАЯ ТЕОРИЯ — твёрдых тел, квантовая теория энергетич. спектра эл нов в кристалле, согласно к рой этот спектр состоит из чередующихся зон (полос) разрешённых и запрещённых энергий. З. т. объясняет ряд св в и явлений в кристалле, в частности разл. хар р… … Физическая энциклопедия
ЭКСИТОН — (от лат. excito возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы. Представление об Э. введено в 1931 Я. И.… … Физическая энциклопедия
РАССЕЯНИЕ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в кристаллич. твёрдых телах процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из состояния с импульсом p в состояние с импульсом Рассеяние наз. упругим,… … Физическая энциклопедия
ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… … Физическая энциклопедия